2026年8月6日，马斯克抛出重磅计划：特斯拉与SpaceX联合官宣超级芯片工厂Terafab正式落户美国得克萨斯州格赖姆斯县。一期直接砸下168亿美元，远期总投入最高可达1190亿美元，建设地球上规模最大芯片制造基地。而本次官宣最颠覆行业的一步，是马斯克亲自在社交平台确认：工厂未来将落地自由电子激光（FEL）光刻技术，跳出ASML传统锡基EUV光刻机路线。
这一表态迅速掀起了半导体界与科技圈的巨浪——马斯克试图通过建设巨型粒子加速器，用自由电子激光颠覆传统EUV（极紫外）光刻路线。
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